CRF電漿清洗機清理PTFE黏性不錯，但須要持續(xù)地調(diào)整工作參數(shù)：
        CRF電漿清洗機技術(shù)等離子體表面處理的功率并非越大越好，在較低功率下，清理的薄膜剪切強度隨著功率的增加而增加，達(dá)到峰值后強度逐漸降低。感應(yīng)式耦合等離子體蝕刻方式(ICPE)是化學(xué)反應(yīng)環(huán)節(jié)和物理環(huán)節(jié)的綜合結(jié)果顯示。它的機理是：在低壓下，由ICP射頻電源向環(huán)狀耦合電磁線圈輸出，通過耦合電弧放電，混合刻蝕汽體通過耦合電弧放電，產(chǎn)生致密的等離子體，在下電極RF作用下，在基片表面躍遷，基片圖形區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體器件的離子鍵被打斷，與刻蝕汽體產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)，將汽體從基片中分離出來，抽離真空管。
        同樣條件下，氧氣等離子體清理比氮氣等離子體清理效果更好。如果須要進(jìn)行蝕刻，以及蝕刻后須要清除污垢，浮渣，表面處理，等離子聚合，等離子灰化或任何其他蝕刻應(yīng)用，我們可以按照客戶的要求，生產(chǎn)出安全可靠的電漿清洗機技術(shù)。我公司兼具傳統(tǒng)的等離子型蝕刻系統(tǒng)和反應(yīng)型離子型蝕刻系統(tǒng)，可以生產(chǎn)系列產(chǎn)品，也可以為客戶定制專用系統(tǒng)。我們可以提供快速/高質(zhì)量蝕刻，提供所需的均勻度。

        隨著清理時間的延長，薄膜表面接觸角減小，但在一定時間內(nèi)，接觸角幾乎沒有變化。等離子體清理可用于各種基底，復(fù)雜的幾何構(gòu)形也可進(jìn)行等離子體活化，等離子體清洗，等離子體鍍膜等。等離子處理的熱負(fù)荷和機械負(fù)荷較低，故此，低壓等離子也會清理敏感材料。
       以上結(jié)果顯示闡述，利用等離子體表面處理PTFE黏性不錯，須要持續(xù)地調(diào)整各清理參數(shù)以獲得良好的處理工藝，CRF誠峰智電漿清洗機操作簡單，可設(shè)定多個實驗參數(shù)，同時也可儲存多種工藝參數(shù)，這對探尋工藝參數(shù)很有幫助。
        CRF電漿清洗機技術(shù)的典型應(yīng)用是：半導(dǎo)體/集成電路；氮化鎵；氮化鋁/氮化鎵；砷化鎵/砷化鋁鎵；砷化鎵；磷化銦、鎵/銦鎵化物(InPInGaAs/InAlAs)；硅；硅鍺；硅化硅陶瓷(Si3N4)；硅的溴化氫；硒化鋅(ZnSe)；鋁；鉻；鉑；鉬；鈮；銦；鎢；銦錫氧化物；銦鈦酸鉛；塑料/高分子材料；聚四氟乙烯(PTFE)；聚甲醛(POM)；聚苯并咪唑(PBI)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺(PFA)；聚酰胺等。