IP膠經(jīng)CRF等離子火焰處理機(jī)DIW接觸角有所下降：
       IP膠水被廣泛應(yīng)用于0.25μm光掩模設(shè)計(jì)原則及以下工藝其中一種光刻膠，其中之一IP3600是一種常用的00.25DR的Hline光掩模的光刻膠。甚至在1300。nm相移掩模技術(shù)的二次掩模加工仍將使用IP膠。

      等離子火焰處理機(jī)作為半導(dǎo)體制造和包裝領(lǐng)域常用的預(yù)清洗方法，可以物理去除硅片或芯片表面的一些污染(如自然氧化層、灰粒、有機(jī)污染物等)。).采用等離子火焰處理機(jī)的表面預(yù)處理方法IP對(duì)于橡膠表面，為了提高橡膠表面的粗糙度，從而提高去離子水潤(rùn)濕膠水表面的均勻性，避免膠水表面的粗糙度IP膠親水性問(wèn)題帶來(lái)的顯影缺陷。在等離子火焰處理表面處理時(shí)，由于等離子體的轟擊會(huì)引起轟擊IP膠水厚度的損失。為了方便后續(xù)顯影時(shí)間和顯影均勻性的控制，必須考慮等離子體轟擊引起的等離子體轟擊。IP膠水厚度損失。
       等離子體清洗機(jī)表面處理后，由于等離子體轟炸的損失，其掩模板IP處理前564膠厚.4nm，降至處理后的561.2nm,厚度損失約3.2nm,遠(yuǎn)在IP膠水顯影前可控厚度偏差(565)+10)nm.這表明，盡管表面轟擊效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致表面轟擊效應(yīng)IP膠水的厚度有一定的損失，但時(shí)間短、厚度損失小，膠水厚度有一定的損失。一般來(lái)說(shuō)，這種等離子體表面處理是正確的IP膠的厚度不會(huì)有明顯影響。
       IP膠經(jīng)等離子火焰處理機(jī)處理后，其對(duì)DIW接觸角顯著降低，即靜態(tài)接觸角從未處理過(guò)的77°降至45°,前進(jìn)接觸角從未處理過(guò)88°降至51°,也使后退接觸角從未處理過(guò)33°降到10°下面。這表明，由于等離子體對(duì)應(yīng)IP膠表面的轟擊增加了表面的微粗糙度，進(jìn)而增加了表面的微粗糙度IP膠水的吸附和浸潤(rùn)能力提高了膠水的吸附和浸潤(rùn)能力IP膠表面的親水性。
       在顯影前的水沖洗步驟中，可以清楚地看到等離子火焰處理上可以清楚地看到表面水滴變小，密集均勻地分布在膠表面，這也表明其親水性和顯影均勻性得到了顯著提高。