低溫plasma與高溫plasma在行業(yè)里怎么區(qū)分：
        低溫plasma與高溫plasma的區(qū)別在于離子的溫度和離子通道。低溫等離子體電子運(yùn)動(dòng)溫度高達(dá)10~10K，而氣體的離子和中性離子溫度接近環(huán)境溫度，遠(yuǎn)低于電子運(yùn)動(dòng)溫度。因此低溫等離子體又被稱為非平衡等離子體。常溫常壓下即可產(chǎn)生低溫等離子體，其工業(yè)應(yīng)用前景廣闊。

        測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，電源參數(shù)對(duì)STC一次轉(zhuǎn)換率影響較大，一定范圍內(nèi)電源頻率越低，電壓越高，越有利于氯硅烷氫化反應(yīng)進(jìn)行。電源頻通過(guò)DBD放電方式產(chǎn)生低溫plasma發(fā)生器安全可靠、經(jīng)濟(jì)環(huán)保且易于實(shí)現(xiàn)。在四氯化硅氫化反應(yīng)中的促進(jìn)效果，常溫常壓條件下采用plasma輔助，即可實(shí)現(xiàn)5%以上的STC一次轉(zhuǎn)化效率。
        plasma包含大量的光子、電子、離子、自由基以及活性原子激發(fā)態(tài)原子激發(fā)態(tài)分子和活性分子等，為化學(xué)反應(yīng)提供極活潑的活性粒子，使得許多通常不能發(fā)生或者需要極其苛刻的條件才能發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)，在接近室溫條件下變得容易進(jìn)行，為化學(xué)反應(yīng)提供了新的實(shí)現(xiàn)方法。對(duì)于多晶硅化工行業(yè)，從能耗控制、效率提升等方面考慮氫化、氣相沉積等工序，運(yùn)用plasma促進(jìn)反應(yīng)進(jìn)程具有重大的實(shí)用價(jià)值和科學(xué)研究?jī)r(jià)值。