等離子體設(shè)備在不破壞晶圓片及其它材料的接觸面特性、熱學(xué)特性和電氣特性的前提下，進(jìn)行的清洗，對(duì)半導(dǎo)體元器件的功能性、牢固性、集成度等方面都很重要，否則極大地（降）低產(chǎn)品良品率，阻礙半導(dǎo)體元器件的更進(jìn)一步突破。

一、等離子體設(shè)備清洗的基本技術(shù)原理
1、在密閉真空腔中，通過(guò)不斷抽真空泵，使壓力值逐漸減小，真空度增大，分子間的間距增大，分子間作用力變小，利用等離子發(fā)生器所產(chǎn)生的高壓交變電場(chǎng)將氬氣、H2、N2、O2、CF4等工藝氣體激發(fā)、振蕩變成高反應(yīng)活性或高能量等離子體，并與有(機(jī))污物及微顆粒物污物反應(yīng)或觸碰變成揮發(fā)性氣體，可以起到接觸面的清潔、（活）化、刻蝕等目的；
2、等離子清洗不會(huì)破壞處理過(guò)的材料或產(chǎn)品固有的特性，僅改變接觸面(納)米級(jí)的厚度，即將清洗過(guò)的材料或產(chǎn)品接觸面上的污物除去，分子鍵打開(kāi)后極微小的結(jié)構(gòu)變化，變成一定的粗糙度或者在接觸面產(chǎn)生親水性的原子團(tuán)基，使金屬焊接的牢固性增強(qiáng)，兩種材料間的粘合力提高等，可以延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用年限。

二、根據(jù)其反應(yīng)類(lèi)型，半導(dǎo)體封裝的等離子清洗可以分為三類(lèi)
a、清洗物理反應(yīng)：利用氬氣等惰性氣體很容易不與其它氣體發(fā)生反應(yīng)，離子質(zhì)量較重，對(duì)材料接觸面進(jìn)行物理轟擊，(清)除污物或打斷高分子鍵結(jié)，變成微結(jié)構(gòu)粗糙面；
如：氬氣+e-→氬氣++2e-氬氣++沾污→揮發(fā)性污染，氬氣+在自偏壓或外偏壓作用下加速產(chǎn)生動(dòng)能，然后轟擊放置于負(fù)極的清潔工件接觸面，一般用來(lái)除去氧化物、環(huán)氧樹(shù)脂外溢或微粒污物，同時(shí)進(jìn)行接觸面(活)化。
b、化學(xué)反應(yīng)清洗：利用活性氣體如H2、O2的特性，使之發(fā)生還原反應(yīng)或變成活性官能團(tuán)，進(jìn)行接觸面改性，提高親水性等；
如1:O2+e-→2O*+e-O*+有(機(jī))物→CO2+H2O。
由反應(yīng)式可見(jiàn)，氧氣等離子體通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將非揮發(fā)性有(機(jī))物轉(zhuǎn)化為易揮發(fā)的H2O和CO2。
如2:H2+e-→2H*+e-H*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O；實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，氫等離子體可通過(guò)化學(xué)反應(yīng)除去金屬表面的氧化層，并對(duì)其進(jìn)行的清潔。
c、物理化學(xué)反應(yīng)的清洗：按需通入兩種組合的工藝氣體，例如氬氣、H2混合氣，其選擇性、清洗性、均勻性和方向性都很好。
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